- 制造厂商：ALD
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:8-PDIP
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
- ALD114913PAL现货渠道商，ALD（Advanced Linear Devices，）代理优势货源
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ALD114913PAL 技术参数详情：
- 型号:ALD114913PAL
- 品牌:Advanced Linear Devices Inc. (ALD)
- 封装:8-PDIP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8PDIP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N 沟道（双）配对
- FET 功能:耗尽模式
- 漏源电压（Vdss）:10.6V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12mA，3mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:500 欧姆 @ 2.7V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.26V @ 1A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2.5pF @ 5V
- 功率 - 最大值:500mW
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-PDIP
- ALD114913PAL优势代理货源，国内专业的ALD芯片采购服务平台。
