三星在6月的最后一天宣布3nm该工艺正式量产。这一次，三星终于领先台积电，率先量产新一代工艺，弯道超车，后者3nm量产将于今年下半年进行。

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据三星官方介绍，3nm在芯片上，它放弃了以前的芯片FinFET采用新的架构GAA晶体管架构大大提高了芯片的功耗性能。

与5nm新开发的3nm GAE该工艺可降低功耗45%，面积16%，性能23%。

第二代的3nm GAP该工艺可降低50%的功耗，提高30%的性能，同时减少35%的面积，效果更好。

以后呢？三星也有计划，3nm GAP过程结束后将迎来2nm GAP工艺也是基于纳米片技术的GAA晶体管，但结构进一步优化，从3个纳米片提升到4个，可提高驱动电流，优化堆叠结构，提高性能，降低功耗。

2nm GAP工艺量产时间也定了，预计2025年量产，时间Megawin代理间点与台积电量产2nm工艺差不多，由于台积电的2nm在晶体管密度上挤压牙膏的过程只有10%。