众所周知，三星在3nm使用芯片GAAFET与晶体管技术相比，这是相对的FinFET晶体管技术更先进。

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GAAFET为什么晶体管技术更先进？GAAFET提供比FinFET在相同尺寸的结构下，静电特性更好，GAA 强化沟道控制能力，可进一步微缩尺寸，降低电压。

这就使得GAAFET晶体管密度高，电压低，性能强，功耗低。

虽然目前在3nm三星在技术上使用GAAFET使用台积电的技术FinFET技术，但到2nm无论是台积电，还是三星，还是intel都会使用GAAFET技术，因为FinFET技术不能再微缩，无法实现2nm。

可以说，只要卡住GAAFET晶体管技术相当于卡住2nm芯片技术。

最近，外媒Protocol美国已经准备好设计半导体的特定类型EDA软件实施新的出口限制。

据报道，美国计划将其用于Gate-all-around(环绕栅极，GAA）制造芯片所需的新技术EDA列入禁止出口清单的软件不得出售给中国大陆。

过去，美国主要针对芯片制造业，即不允许向中国大陆销售先进的半导体设备，如EUV光刻机等。

现在要禁止EDA工具意味着不仅是晶圆制造商，还有芯片设计企业，因为没有EDA在这种情况下，再牛的芯片设计企业，也无法设计芯片。

而目前EDA基本上是被Synopsys、Cadence和西门子EDA这三大巨头垄断，尤其是先进的设计工具。

而国产EDA，一方面支持的技术不够先进，另一方面流程不够完整，所以这三大巨头在国内市场也占90%。

一旦用于GAAFET芯片技术的EDA被禁意味着国内晶圆制造不仅不能进入2nm，除非是国产的，否则连设计都卡住了。EDA跟上，能够支持GAAFET技术。