三星晶圆OEM部门最近一直负面，据报道，一些员工涉嫌伪造和虚报5nm、4nm、3nm工艺的良品率，如高通VIP客户必须离开，重用台积电生产骁龙8处理器。然而，从技术上讲，三星仍然是唯一一代能够跟上台积电的晶圆Simcom代理工厂。

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虽然在7nm、5nm及4nm节点落后，但在接下来的3点nm三星节点更激进，全球首发GAA放弃晶体管工艺FinFET晶体管技术，台积电3nm工艺仍将基于FinFET工艺。

三星之前说过，GAA它是一种新型的环绕栅极晶体管，由纳米片设备制成MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，该技术能显著提高晶体管的性能，主要取代多桥-通道场效应管FinFET晶体管技术。

根据三星的说法，7nm与制造工艺相比，3nm GAA技术逻辑面积效率提高45%以上，功耗降低50%，性能提高35%左右，但纸面参数优于台积电3nm FinFET工艺。

当然，这些还是纸上的，三星的3nm工艺挑战也不少，光是量产就是个问题，在三星宣传2021年量产之前，其实并非如此，最快也是今年，而且是3GAE低功耗工艺，高性能3GAP工艺至少要2023年。

据韩国媒体报道，三星已准备在韩国平泽市P3.工厂开工建设3nm晶圆厂于6月和7月开工，设备及时引入。

按照这个进度，今年的3GAE这个过程只应该是小规模的试生产，大规模的大规模生产到明年，台积电3nm工艺差不多，两家都因为各种问题推迟了量产3nm工艺了。