东芝电子元件及存储设备有限公司(东芝)近日宣布推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQHU-MOSX-H该工艺适用于工业设备开关电源，包括数据中心电源和通信基站电源。该产品今天开始支持批量运输。

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用现代用现代U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH漏源导电阻下降约42%。对新型MOSFET结构优化促进了源漏导电阻与两个电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，在开关操作过程中降低漏极与源极之间的尖峰电压有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。该产品提供SOP Advance和更广泛使用SOP Advance（N）这两种类型的表面贴装包装。

同时，东芝还提供支持开关电源电路设计的各种工具。除了快速验证电路功能外G0 SPICE模型还提供高精度，可以准确再现瞬态特性G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大MOSFET通过减少损耗，提高设备的电源效率，帮助产品线降低功耗。

■ 应用：

- 通信设备电源

- 开关电源(高效率DC-DC转换器等）

■ 特性：

- 优异的低损耗特性(平衡导通电阻、栅开关电荷和输出电荷)

- 优良的导通电阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V

- 高额定结温：Tch(最大值)=175℃

■ 主要规格：

(除非另有说明，@Ta＝25℃）

器件型号

TPH9R00CQH

绝对最大

额定值

漏源电压VDSS（V）

150

漏极电流(直流)

ID（A）

@Tc＝25℃

64

结温Tch（℃）

175

电气特性

泄漏导电阻

RDS(ON)最大值（mΩ）

@VGS＝10V

9.0

@VGS＝8V

11

总格栅电荷(格栅极-源极+格栅极-漏极)

Qg典型值（nC）

44

网极开关电荷Qsw典型值（nC）

11.7

输ICPlus代理出电荷Qoss典型值（nC）

87

输入电容Ciss典型值（pF）

3500

封装

名称

SOP Advance

SOP Advance（N）

尺寸典型值（mm）

5.0×6.0

4.9×6.1

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注：

[1] 东芝调查截至2022年3月。

[2] 网极开关电荷和输出电荷。

[3] 与现有产品TPH1500CNH（U-MOSⅧ-H与系列相比，该产品导致泄漏电阻×格栅开关电荷增加约20%，漏源导电阻增加×输出电荷增加了28%左右。