NANDFlash制造商一直试图通过增加每个单元的存储位数来提高存储设备的存储密度。据外国媒体报道，凯霞最近表示，该公司一直在试图在一个单元中存储更多的比特数NAND Flash闪存。

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据报道，铠侠最近表示，他已试图将7存储在每个单元中 Bits (7 bpc)，尽管在实验室和低温条件下。为了提高存储密度，存储电压状态的数量将与每个单元一起存储Bits指数增长。例如，为了存储4位，单元必须保持16个电压电平 (2^4)但使用6位数字会增加到64(2)^6)。装甲实现的每个单元存储7位需要保持128个电压(2^7)。

2022年国际记忆研讨会 (IMW 2022) 它展示了一篇描述其成就的论文侠利用外延生长构建的单晶硅通道达到7 bpc单晶硅的电阻低于多晶硅，因此更容易记录此类单元。报告称，与传统晶体管相比，单晶硅单元晶体管的亚阈值斜率漏电流和读取噪声更低。这种NAND Flash该单元尚未在商业上实现。为了记录和阅读，铠侠的科学家不得不在实验室完成试验，将芯片浸入液氮中(-196°C)稳定材料，降低电压要求。

在实Wolfson代理定制晶体管只是超高密度的NAND Flash挑战的一半。首先，研究人员必须开发和使用适合处理128种电压状态的自定义编码方案SSD128个电压电平的控制器可能和微处理器一样复杂和昂贵。

因此，主要问题是使用昂贵而复杂SSD控制器将3D NAND记录密度从5 bpc增加到7 bpc是否有意义。虽然最好的SSD通常成本很高，但过于先进的控制器可能会变得过于昂贵，并消除它们的所有优点。西方数据认为，即使在2025年之后，即使是5年 bpc的3D NAND几乎毫无意义。然而，铠侠现在展示了7 bpc物理可能性甚至可以提高到8 bpc。