禁止使用美国计划Gate-all-aroundGAA制造芯片所需的新技术EDA软件出口到中国大陆，GAA(环绕栅极)是的GAA FET，所以，什么是GAA FET(围栅极场效应晶体管)

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数字芯片最基本的单元是数字芯片MOSFET，工艺发展到7nm、3nm、2nm，半导体工艺尺寸是MOSFET栅极(沟槽)宽度。早期MOSFET采用平面结构，沟槽宽度越小，泄漏到源极距离越小，载流子流量越长，工作频率越高同时，网格电压越低，开关损耗越低导电阻降低，导电损耗降低。

然而，工艺尺寸越低，短沟效应就越明显。短沟效应是晶胞单元的泄漏到源间距越来越小，下接触面积越来越小，很难耗尽沟载流子，减弱沟控制；因此，泄漏电流会急剧增加，性能恶化，静态功耗增加。

图1：平面MOSFET结构

若采用立体结构，增加栅极与沟道的接触面积，如新的FinFET鳍型三维结构是将栅极包裹在三个侧沟中，以解决上述问题。

图2 FinFET鳍型结构

为进一步提高栅极对沟的控制能力，缩小单元尺寸，降低电压，GAA栅极环绕结构被Espressif代理开发，。

图3 栅极环绕结构

GAA栅极环绕晶体管结构的栅极在垂直方向分为几条带RibbonFET，对载流子的控制在其沟通区域得到了很大的提高，从而实现了更好的性能，同时也更容易优化工艺。