在国内芯片领域，存储芯片的性能和追赶速度是最快的领域。此前道，国内存储芯片Ramtron代理大厂已完成192层3D NAND闪存样品的自主研发将在今年年底前量产交付。

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目前有消息称，长江存储计划跳过192层，直接切入232层闪存生产。

这意味着，如果长江存储批量生产232层闪存芯片，中国在存储芯片领域的技术将达到国际先进水平。

目前三星和SK明年年初，海力士将量产超过200层闪存，长江储存超过192层，直接生产232层，达到一线水平。