一段时间前，有媒体报道称，长江存储自主研发的192层3层D NAND闪存已送样，预计年底量产。

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长江存储一直是我国优秀的国内存储芯片企业，自成立以来一直保持着快速发展。

2016年成立，2017年推出32层NAND闪存。2019年推出64层堆栈3D NAND闪存成功进入华为Mate40手机供应链。

缩短三星，SK海力士、铠侠等6层，直接进行了海力士、铠侠等行业大厂的差距Sharp代理128层3D NAND 闪存研发，并于2020年正式宣布研发成功，是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存拥有业内已知型号产品中最高单位面积的存储密度I/O传输速度和最高单个NAND 闪存芯片容量。

长江储存仅用了3年时间，就实现了从32层到128层的跨越，完成了同领域企业6年走过的道路。

4月，长江存储推出了高速公路UFS 3.与目前最好的大厂相比，闪存芯片的性能完全不落后。

例如，业内最好的三星UFS 3.512闪存芯片GB版读取速度2100MB/s，写入速度1200MB/s。而UC023的512GB版读取速度2000MB/s，写入速度1250MB/s，可以说仲，两款芯片都处于行业顶级水平。

美光去年发布了176层UFS 3.1闪存，但读取速度只有1.5万MB/s，但是写入速度没有公布，估计是因为性能没有优势。所以长江存储的闪存芯片已经很优秀了。

此外，据业内报道，长江存储也进入苹果供应链iPhone SE 闪存芯片的供应也是最好的证明。

当然，从时间维度来看，我们还是落后的，比如三星是2020年3月推出的UFS 3.1闪存芯片，但我们起步较晚，目前取得了快速进展。

当然，从行业的角度来看，其他厂商也在加大研发力度。比如美光最近发布了行业第一个232层3D闪存芯片有望在年底或明年开始量产。

三星还发布了224层3D闪存芯片也预计年底量产。

此外，三星还宣布已开发出来UFS 4.0闪存芯片，每个通道的带宽速度增加到23.2Gbps，是UFS 3.基于三星第七代的两倍V-NAND闪存和自主研控可达4200MB/s顺序读取速度和达2800MB/s写入速度是当今性能最高的闪存芯片。

因此，从相似规格或相似性能的角度来看，我们的国产闪存芯片仍落后世界顶级水平1-2年。但我相信用不了多久就能赶上这个差距。

除了技术，国产闪存产能也略有不足。目前，长江存储已将月产量扩大到10万片晶圆，随着武汉工厂二期工程建设，预计到2023年底，长江存储月产量可能超过20万片，全球市场份额有望达到7-8%。但与大型工业制造商相比，仍有很大的差距。

总之，192层3D NAND闪存芯片将是长江存储发展的里程碑，也意味着国内存储芯片在追赶美国和韩国顶级企业的道路上迈出了一大步。在这个领域，我们不再需要害怕外国的压制和封锁，也不会有脖子卡住的问题。