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X-FAB宣布升级其衬底耦合分析工具BCD-on-SOI其中包含了工艺
(2024年6月19日更新)

MXIC代理球公认的优秀模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB)最近宣布扩大其SubstrateXtractor该工具的应用范围允许用户使用该工具检查不需要的衬底耦合效应。作为世界上第一个BCD-on-SOI该工艺提供此类分析功能的OEM,X-FAB把这个初始面向XH018和XP018 180nm Bulk CMOS工艺开发工具增加了其对XT018 180nm BCD-on-SOI以工艺为支撑Bulk CMOS工艺外的补充。使用新的SubstrateXtractor可以加速升级版本SOI避免多次迭代,开发相关产品。

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最初的SubstrateXtractor由X-FAB与EDA合作伙伴PN Solutions(基于其广泛使用PNAware合作开发产品,2019年发布。利用这个工具,客户可以解决半导体衬底中有源和无源元件之间的耦合问题(无论这些元件是电路本身的一部分还是寄生的)——其显著优势使客户的项目更快地进入市场。PN Solutions的PNAwareRC工具支持SOI该工艺进一步增强了平台的功能,扩大了平台的吸引力。

图为X-FAB工程师正在使用衬底耦合分析工具

X-FAB的XT018工艺BOX/DTI该功能可以隔离芯片上的组成功能模块,适用于需要与数字模块耦合的敏感模拟模块,或必须与高压驱动电路隔离的低噪声放大器。该过程也使多通道设计更容易实现XT018中的电路有效地放置在自身独立的衬底中,从而减少串扰。

在基于SOI在集成电路中使用SubstrateXtractor对客户来说,实现衬底耦合分析的能力是非常有价值的。虽然SOI工艺中的有源部分可以通过BOX和DTI完全介电隔离,有源部分隔离就像孤立,但无源R和C耦合仍然可能存在。由于这个新的升级工具,它可以被视为DTI和BOX水平和垂直耦合路径提取无源RC通过模拟无源耦合网络,评估网络对集成电路的影响。这生的关键应用,包括工业和汽车系统中使用的大电流和高压设备。

消除衬底耦合是一项具有挑战性的任务。支持我们XT018 BCD-on-SOI提取与工艺相关的寄生元素,客户将能够模拟电路模块的耦合,识别对性能不利的干扰因素。”X-FAB设计支持总监Lars Bergmann涉及非常大的干扰电压或个位数GHz在高频范围内,此功能扩展将具有重要意义。”

缩略语:

BOX 埋地氧化物

BCD Bipolar CMOS DMOS

DTI 深槽隔离

EDA 自动化电子设计

RC 电阻-电容

SOI 绝缘体上硅

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