EverSpin公司是设计、制造分立式和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移力矩 MRAM (STT-MRAM) 并向需要数据持久性和应用的市场和应用进行商业运输的全球领导者。Everspin 在磁存储器设计、制造和交付相关应用方面的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin 拥有 600 多项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结 (MTJ) STT-MRAM 位单元的开发方面处于市场领先地位。2014 年，Everspin 与 GLOBALFOUNDRIES 合作，在包括 40nm、28nm 及更高节点在内的先进技术节点上，实现面内和垂直 MTJ ST-MRAM 的全交钥匙 300mm 大批量生产。此外，Everspin 生产基于 180nm、130nm 和 90nm 工艺技术节点的 MRAM 产品...